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Microsemi发布新一代超高效NPT IGBT

2012-05-17

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能开云棋牌官网在线客服技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件瞄准电焊机、太阳能逆变器和不间断与开关电源等应用。

美高森美新的分立元件产品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。这些器件可以单独提供,或者与任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二极管组合封装提供,以便简化产品开发和制造。其它特性包括:

· 相比竞争产品,栅极电荷(Qg)显著减少,具有更快的开关性能;

· 硬开关运行频率大于80 KHz,实现更高效的功率转换;

· 易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性;以及

· 额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作

APT40GR120B晶体管采用TO-247封装,APT40GR120S采用表面安装D3PAK封装,APT40GR120B2D30则是T-MAX®封装器件,包含了一个30A反并联超快恢复二极管,采用美高森美的专有“DQ”系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。

供货

美高森美新型NPT IGBT中的最初两款产品已具有以上全部待征并已量产,可通过当地分销商或美高森美销售代表获取样品。要了解更多的信息,请通过电子邮件sales.support@microsemi.com联系当地美高森美销售代表或美高森美授权经销商。


关于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 为航天、国防与安全、企业与商业,以及医疗、工业与替代能源市场提供业界综合性的开云棋牌官网在线客服解决方案系列,包括高性能及高可靠性模拟与射频器件、混合信号与射频集成电路、可定制系统单芯片(cSoC)、FPGA,以及完整的子系统。美高森美总部设于美国加利福尼亚州Aliso Viejo,全球员工总数约3,000人。欲获取更详尽信息,请访问网站:http://www.microsemi.com

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