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多维科技推出TMR磁敏角度传感器

-- 多维科技推出用于旋转编码器的TMR 磁敏角度传感器
2012-04-17
关键词: TMR 磁敏角度传感器

美国加州圣何塞和中国江苏张家港2012年4月17日电 /美通社亚洲/ --

江苏多维科技( http://www.multidimensiontech.com)有限公司(简称 MDT)宣布推出两款 TMR(隧道磁阻) 磁敏角度传感器,可广泛用于各类工业传感器应用,包括旋转编码器、速度传感器、非接触式电位器以及用于直流无刷电机 (BLDC) 的旋转位置控制器。
MMA253F/MMA153F TMR 磁敏角度传感器在设计时利用了 MDT 独创的 TMR 传感器技术和知识产权,可进行360度全方位测量,其输出信号振幅高且稳定,测量间距的公差也较大。MDT 的 TMR 磁敏角度传感器降低了信号处理电路的复杂性。
多维科技董事长兼首席执行官薛松生博士表示:“我们全心致力于为客户提供 TMR 传感器的各项技术优势,并以多种服务方式最大限度地满足客户需求。除了供应 TMR 磁传感器芯片之外,我们还可以按需提供完整的系统解决方案。我们可以为大批量订购的客户量身定制 TMR 传感器晶圆,并与客户自有的 ASIC(专用集成电路)技术实现集成。”
薛博士称,MDT 新推出的 TMR 磁敏角度传感器功率低、精度高且输出信号稳定,从而降低了旋转编码器的整体系统成本。它们可方便地与模拟或数字电路相集成。
MDT 的 TMR 传感器技术结合了 AMR(各向异性磁阻)、GMR(巨磁阻)和霍尔效应 (Hall Effect) 等现有磁传感器技术的主要优点,同时克服了上述技术的局限性,包括信号灵敏度低(霍尔、AMR 和 GMR)和复杂的360度测量设计 (AMR)。
主要特征
  -- 360度测量和双轴 SINE/COSINE 输出 (MMA253F)
  -- 单轴180度测量 (MMA153F)
  -- 输出信号高于供电电压的90%,无需放大
  -- 耗电量非常低,在1伏电压下,电流仅为7微安
  -- 高精度(角度误差为1度)和高分辨率(定制电路的分辨率可达12位)
  -- 测量间距的允许公差范围较大,支持更加灵活的多种实现方案
  -- 小型 LGA8 和 SOP8 封装
MMA253F/MMA153F TMR 磁传感器可立即提供样品。用户还能获得评估工具包 MMA253F-EVL,对 MMA253F 传感器的电磁特性进行评估。MMA253F-EVL 工具包提供 LCD 显示器、USB 接口以及适用于绝对式或增量式旋转编码器的12位数字输出。
MDT 简介
多维科技创立于2010年,总部设在中国江苏省张家港,在中国上海和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT 拥有多项独特的专利技术和最先进的制造能力,可批量生产高性能、低成本 TMR 磁传感器以满足最严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,MDT 致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。有关 MDT 详情,请访问: http://www.multidimensiontech.com
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