2009年9月22日，北京–全球先进开云棋牌官网在线客服解决方案的领导品牌三星电子股份有限公司，今天在台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中，正式宣布已开始量产512-Megabit (Mb)相位变化随机存取记忆体晶片(PRAM, phase change random access memory)。 PRAM这种新型的非挥发性记忆体技术兼具了高效能及低耗电的特色，预期将可使行动装置的记忆体技术进入新的阶段。

高密度及高效能乃是智能手机最主要的技术要求，然而这两种特性都会使耗电量大幅增加。而相位变化随机存取记忆体晶片(PRAM)则大幅简化了资料存取的逻辑，对DRAM的支持仰赖程度较低，因此其用电效率极高。在使用PRAM的情况下，手机电池的使用时间将可延长20%以上。

三星电子公司记忆体事业部行动记忆体企划处副总裁Sei-Jin Kim表示：“我们相信PRAM可为手机效能的设计做出极大贡献，尤其是多媒体手机以及智慧型手机。三星预期PRAM将成为公司未来的核心记忆体产品之一。”

这种512MbPRAM能在80毫秒内消除64KW(千字单位)，此速度比NOR快闪记忆体要快上十倍；而在大小为500万位元组(MB)的资料段落中，PRAM消除及重写资料的速度也要比NOR快闪记忆体快上七倍。

PRAM比目前正在研发当中的其他各种记忆体架构都更具规模弹性，一方面利用RAM极快的处理速度提供操作功能，同时又利用快闪记忆体的非挥发特性储存资料。

三星这项第一款PRAM产品是运用60奈米级技术生产，而这也正是目前用以生产NOR快闪记忆体的技术。至于未来的新世代PRAM则将采用更先进的技术节点制造，以加速产品的商业化应用。