kaiyun官方注册
您所在的位置: 首页> 其他> 业界动态> GaAs和InP技术支撑光纤模拟芯片市场高增长

GaAs和InP技术支撑光纤模拟芯片市场高增长

2009-08-14
作者:来源:国际电子商情

StrategyAnalytics发布最新研究报告“光纤模拟芯片市场机会:2008-2013”。化合物开云棋牌官网在线客服正在越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断增长的光纤模拟芯片市场,硅(Silicon),硅化锗(SiGe),砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)技术各有所长,将争夺化合物开云棋牌官网在线客服市场份额。报告提供对光纤模拟芯片,包括跨阻抗放大器(TIAs-transimpedanceamplifiers),激光驱动器(laserdrivers)和后置/限幅放大器(post/limitingamplifiers)的增长预测。

速度小于2.5Gbps的旧版网络目前仍主导市场份额,但是在预测期内将增长缓慢。受到市场对带宽需求不断增长的驱动,10Gbps网络将成为行业的事实标准,在2011-2013年期间,其复合年增长率将达到20%。随着市场不断推进向更高网速的发展,40Gbps网络也会出现强势增长。


StrategyAnalytics的GaAs和化合物开云棋牌官网在线客服技术市场研究部主管AsifAnwar认为:“相比其它大多数通信市场,光纤抗市场风险的能力更强。这是因为市场对更多、更快的带宽需求似乎总不满足,而铺设光纤的资本支出也早已到位。StrategyAnalytics预期,基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的激光驱动器和TIAs是推出更高速的10Gbps,40Gbps,乃至100Gbps网络的关键支持技术。”


光纤模拟芯片市场需求将受益于消费者和企业用户对“高带宽应用”使用的不断增长,这些应用包括:

--基于IP(InternetProtocol)的语音,视频和数据应用

--高带宽视频服务,如高清电视(HDTV)和视频点播(VOD)

--企业存储网络

--高成长的3G和4G无线标准的更高带宽回程


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306116;邮箱:aet@chinaaet.com。
Baidu
map