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一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计

2009-06-01
作者:杨盛波,唐 宁,覃贤芳

摘 要:基于RFID标签芯片的低功耗要求,设计了一种超低功耗带隙基准电压源,电路中的主要MOS管都工作在亚阈值状态。在spectre环境下仿真表明,当电源电压为3 V~7 V,温度在-30 ℃~+120 ℃变化时,输出基准电压为1.8 V±0.001 V。电源电压抑制比(PSRR)为69.5 dB, 并且电路工作电流维持在1.5 μA~7 μA的范围内。
关键词:亚阈值;带隙基准源;电源抑制比;低功耗

一种工作在亚阈区超低功耗带隙基准源的设计.pdf

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