中芯国际65nm低漏电工艺IP产品隆重登场
2009-05-19
作者:中芯国际(SMIC)
中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布在65纳米低漏电工艺提供一整套 IP 产品给客户,其中包括一组六款的存储器编译器的初始版本。这套 IP 是继今年年初发布的65纳米标准单元库以后发布的一些新开发的、并可立即供应给客户使用的 IP。一组六款的存储器编译器是中芯国际提供的这套新65纳米 IP 产品的核心部分,它们可以帮助用户快速、随意和智能化地批量生成不同大小的存储体模块。这些编译器包括经过优化的高性能的存储器以及性能和面积都得到优化的存储器。这些核心的 IP 以及该 IP 产品目录中的其它许多 IP 都是由中芯国际设计服务处藉着严密的设计方法自主开发的。硅片上的验证正在进行中。中芯国际这次发布的65纳米 IP 可以被广泛应用在消费性电子应用的设计方面,例如手机、移动多媒体播放器、全球定位系统、数字电视、机顶盒和移动存储设备等。
因为中芯国际65纳米库都是由中芯国际自主开发的,所以它给客户在使用的灵活性和可定制性方面提供更大的方便, 能够在库及制程方面作出更好的匹配、并可因应客户的要求在库的特性参数方面重新调校、简化设计流程并缩短产品从设计到面市的时间。
“这套65纳米 IP 产品是针对低功耗和高速度应用而开发的,让客户可以在中芯国际开始广泛的 SOC 设计项目。”中芯国际设计服务部副总欧阳雄表示,在65纳米制程方面已经在支持一些客户。“这些存储器编译器是一组功能齐全、又高质量的产品。这一成绩证明了中芯国际设计服务处工程师在设计方面的能力和专注性。”计划中的存储器编译器量产性发布预计在六月三十日。同时有更多自主开发和第三方的65纳米 IP 在开发当中,将在今年的晚些时候能提供给客户使用。
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