三星电子(SamsungElectronics)2012年第2季将推出电力芯片产品，这是自1999年三星将电力开云棋牌官网在线客服厂抛售给快捷开云棋牌官网在线客服(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的电力芯片产品。据南韩电子新闻报导，三星2011年5月与三星综合技术院组成电力芯片共同研究开发小组，才经过3个月时间，已完成制程技术研发，正以飞快的速度推动商业化。

　　三星相关人员指出，三星已开发出电力芯片中需求骤增的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的生产制程技术，该制程安定化、磊晶成长、封装等技术研发则仍在进行当中，预计2011年内可完成产品开发。三星计划2012年第2季投入IGBT量产，并正式展开电力芯片事业。

　　三星在研发制程技术的同时，为避免产生电力芯片相关专利纷争，已事先取得快捷开云棋牌官网在线客服及相关业者的交*授权。1999年面临汇率危机和专利纠纷，成为三星决定终止电力芯片事业的主要原因。在三星决定重新展开电力芯片事业之余，将尽力避免重蹈覆辙。

　　快捷开云棋牌官网在线客服表示，无法对外透露相关详情。三星将电力芯片事业抛售给快捷开云棋牌官网在线客服，然近来IGBT相关业者已增加至10多间。

　　三星将研究范围扩大至氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等新原料。推估电力芯片事业将会成为非内存事业的一大轴心。IGBT为控制10A以上大电流的芯片原料，可应用在电动车、汽车、电梯等用电量较大的产品上，可控制流通或阻断电流。2011年市场规模达9亿美元。

　　南韩业者指出，由于内存事业逐渐走下坡，三星将重心转移到行动应用处理器、CMOS影像传感器等系统LSI事业。三星的生产能力优秀，若决定进入2011年全球市场规模达152亿美元、每年出现11.5%高成长的电力芯片市场，成为市场核心的可能性破高。