随着集成电路规模的发展，电子设备的体积、重量和功耗越来越小，这对电源电路的集成化、小型化及电源管理性能提出了越来越高的要求。而随着片上系统（SOC）的不断发展，单片集成的LDO线性稳压器的应用也越来越广泛[1]。对于片内的LDO，最担心的是寄生电容过大引起不稳定，论文针对片内应用而设计的这款LDO，能保证在uF级别的寄生电容范围内都可以正常工作，毕竟寄生电容再大也不至于是μF级别的。功耗是LDO线性稳压器的重要指标之一，一般的LDO功耗都在几十μA以上，例如文献[2]中电路的静态电流为38μA，文献[3]中静态功耗高达65μA，而本文的静态功耗做到10μA左右，不仅功耗低，本文中第二级靠电阻的电流关系提供了一个小增益级，并且提高了整个LDO的带宽。
2 LDO电路组成原理与关键模块设计
2.1 电路基本工作原理
图1是LDO线性稳压器的结构框图，由下面几个部分组成：基准电压源（Vref）、误差放大器、同相放大器、反馈电阻网络、调整管等。其中基准电压源输出参考电压Vref，要求它精度高，温漂小。误差放大器将输出反馈回来的电压与基准电压Vref进行比较，并放大其差值，其经过同相放大器来控制调整功率管的状态，因而使输出稳定。在这里C1是前馈电容，可以提高负载调整率，并增加了一个左零点补偿，Cff提供一个零点补偿。第一级放大器就是一个差分对，和大多数误差放大器结构一样，第二级为同相放大级，靠电阻的电流关系提供一个小增益级，并控制带宽。相对于普通结构而言的，如果靠运放直接驱动功率管，那带宽就被功率管的寄生电容和运放输出阻抗和增益决定了，而这个结构的增益和输出阻抗，相比运放小很多，带宽自然就提高很多。表1为该LDO的主要设计参数和性能指标。
低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计" src="//www.ninimall.com/files/images/20110805/020e8ae3-e890-490b-8365-faaccfffe993.jpg" />
图1 LDO线性稳压器结构示意图
表1 LDO的设计参数和性能指标
2.2 电路组成与设计
（1）调整管结构设计：MOS型线性稳压器的调整管是电压驱动的，能大大降低器件消耗的静态电流，而且其较小的导通阻抗使得漏失电压也比较低，从而提高了电源的转换效率[4]。根据调整管的平方率关系式以及设计指标Vdropout≈200mV，可以计算出调整管的宽长比，结合调整管的栅极寄生电容以及工艺的要求，在重载情况下考虑调整管需工作在线性区，将调整管的宽长设计为：W=6000μm，L=0.5μm。
（2）电阻R1与R2选择：输出电压由反馈网络决定，根据VOUT=VREF[（R1+R2）/R1]，当选定的VREF=1.25V，R1=625KΩ，那么R2=625KΩ。
2.3 误差放大器（EA）设计
误差放大器电路原理图如图2所示。对该EA部分功耗（3μA）以及低的失调电压的要求，根据σ2（VT）=A2VT/WL+S2VTD2以及MOS管的平方率关系[5]，设计出各MOS管的尺寸，M1和M2的宽长比为41/2，M3和M4的宽长比为4/1，M5和M6的宽长比为2/1，我们这里取W1=W2=82μm，L1=L2=4μm；W3=W4=12μm，L3=L4=3μm；W5=W6=8μm，L5=L6=4μm。实际上，在EA这部分为了让这一级增益Ger不小于10dB且保证有足够的相位裕度，将反馈电容CFF设计为20.8pF，把C1设计为1.5pF。该部分的仿真结果如图3所示。结果表明，该设计在保证稳定的前提下Ger为11dB[6]。
图2 EA与反馈网络
图3 EA的环路增益
2.4 同相放大器设计
同相放大器电路结构如图4所示。这一级主要是获得整个环路最大的增益Gnon- inv=25dB~30dB。
图4 同相放大器结构
为保证低功耗的前提下I1设为5μA，I2设为3μA，在小的偏置电流以及较大的负载的情况下为了保证能得到不小于25dB的增益，把RF设计为500K。由于同相放大器的增益随负载的增加而减小，在设计中需要适当增加偏置电流I1 和增加RF的值[7]。而带宽受M2的跨导和调整管的W/L的影响，需要增加M2的W/L以及偏置电流I2。图中M1的宽长比为4/1，这里取W1=30μm，L1=3μm，M2的宽长比为110/1，取W2=110μm，L2=1μm。仿真结果如图5所示。
图5 同相放大器的增益
3 LDO整体仿真结果与讨论
我们基于HHNEC 0.35um BCD工艺下，采用cadence和Hspice仿真软件对整体电路做仿真，如图6所示为LDO环路稳定性仿真曲线。
（a）负载电流为50mA仿真曲线
（b）负载电流为0时仿真曲线
图6 LDO环路稳定性仿真曲线
（a）图为负载电流为50mA时，LDO环路增益为50dB、单位增益带宽为470KHZ、相位裕度为74degree。（b）图为负载电流为0时，LDO环路增益为63dB、单位增益带宽为1KHZ、相位裕度为87degree。图7给出了该LDO的线性调整率曲线，仿真条件为C L=1μF，由仿真曲线可以看出该LDO的线性调整率为：
图7 CL=1μF线性调整率曲线
图8给出了该LDO的负载调整率曲线，仿真条件为CL=1μF，由仿真曲线可以看出该LDO的负载调整率为：
图8 CL=1μF负载调整率曲线
图9给出了该LDO的电源抑制比仿真曲线，仿真条件为IL=1mA。从该曲线可以看出，该LDO的PSRR在1KHZ时为- 60dB。
图9 电源抑制比仿真曲线
4 结论
本文提出的这款LDO线性稳压器，能保证在μF级别的寄生电容范围内都可以正常工作。
该LDO的静态电流低至10μA，文中同相放大器的引入，提高了整个LDO的带宽。从仿真结果可以看出，在负载电流Iload=50mA时，带宽为470KHz。
该LDO其它各方面指标都满足设计要求。
参考文献
[1] LAMY，KI W·A 0.9V 0.35um adaptively biasedCMOS LDO regulator with fast transient response [C]// Proc of ISSCC Dig Tech?? San Francisco，CA，USA，2008: 442- 443.
[2] Robert J Milliken，Jose Silva.Martinez，EdgarSanchez- Sinencio.Full On- Chip CMOS Low DropoutVoltage Regulator [J].IEEE Transactions on Circuitsand Systems，2007，54（9）：1879- 1890.
[3] Chua.Chin Wang，Chi- Chun Huang，Tzung- JeLee，et al.A Linear LDO Regulator with ModifiedNMCF Frequency Compensation Independent ofOff- chip Capacitor and ESR [A].IEEE Asia PacificConference on Circuits and Systems[C].2006，12：880- 883.
[4] 毕查德·拉扎维，模拟CMOS 集成电路设计[M].陈贵灿，程军，张瑞智。西安：西安交通大学出版社，2005: 1- 18
[5] [美] Razavi B. Design o f Analog CMOS IntegratedCircuits [M]. 北京：清华大学出版社，2003: 9- 20.
[6] 吴晓波，李凯，严晓浪。高性能低压差性稳压器的研究与设计。微电子学，2006，36（3）：347- 351
[7] 杨锦文，冯全源。基于嵌入式密勒补偿技术的LDO 放大器设计。2006，23（3）：198- 200
作者：潘希武 湖北大学 来源：维库