英国ARM宣布，在于西班牙巴塞罗那举行的“Mobile World Congress（MWC）”上，展出了采用32nm工艺试制的首款ARM处理器。

此次使用的工艺为美国IBM等公司的Common Platform技术，采用了高介电率（high-k）绝缘材料和金属栅极。试制的测试芯片上集成的ARM内核为Cortex-A9。设计的电路库使用了被ARM的物理IP(Physical IP)部门针对Common Platform的32nm/28nm工艺进行了优化的标准单元。

ARM表示，2009年内与其建立合作关系的开云棋牌官网在线客服厂商能够获得这些技术。预计2010年初配备ARM内核的32nm芯片将会面世。