IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET为低功率应用扩展封装组合
2011-06-15
作者：IR
全球功率开云棋牌官网在线客服和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的PQFN2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFETMOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择，并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间，采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列，也可以满足我们客户的需求，进一步缩小封装尺寸，并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度，非常适合于高度数字化内容相关的应用。”
这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件，带来一个更简单的驱动解决方案。同时，新器件的厚度少于1 mm，使它们与现有的表面贴装技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
产品规格
组件编号 |
配置 |
BV (V) |
最大Vgs (V) |
在10V下 典型/最大RDS(on)(mΩ) |
在4.5V下 典型/最大RDS(on)(mΩ) |
在2.5V下 典型/最大RDS(on)(mΩ) |
IRFHS9301 |
单一 |
-30 |
-20 |
30/37 |
48/60 |
- |
IRLHS2242 |
单一 |
-20 |
-12 |
- |
25 / 31 |
43 / 53 |
IRLHS6242 |
单一 |
+20 |
+12 |
- |
9.4 / 11.7 |
12.4 / 15.5 |
IRLHS6342 |
单一 |
+30 |
+12 |
- |
12 / 16 |
15 / 20 |
IRFHS8242 |
单一 |
+25 |
+20 |
10/13 |
17 / 21 |
- |
IRFHS8342 |
单一 |
+30 |
+20 |
13/16 |
20 / 25 |
- |
产品现正接受批量订单。数据及MOSFET产品选项工具已刊登于 IR 的网站www.irf.com。
专利和商标
IR® 是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。