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FSI国际宣布带有ViPR技术的ZETA喷雾式清洗系统目前已完成200mm制造工艺验证

ViPR技术省去高注入光刻胶的灰化提高自对准金属硅化物工艺之后去除残留金属的良品率
2008-12-11
作者:FSI国际有限公司

美国明尼阿波利斯(2008年12月10日)——全球领先的微电子制造表面处理设备供应商FSI国际有限公司(纳斯达克:FSII)今日宣布其带有ViPR技术的ZETA喷雾式清洗系统现已提供200mm晶圆" title="晶圆">晶圆工艺,并且已有一家亚洲客户将该项" title="该项">该项技术成功应用于200mm制造之中。FSI的ViPR技术起初为300mm" title="300mm">300mm高级技术推出,该项技术凭借一步湿法工艺成功剥离高注入光刻胶的能力,被许多300mm晶圆厂" title="晶圆厂">晶圆厂采用。针对200mm晶圆厂相同的需求,FSI在其200mmZETA系统上开发出ViPR性能。ViPR技术通过省去灰化和多步骤灰化-湿法的方法,实现了IC制造商大幅度降低成本和缩短周期的可能,从而为其它支撑技术释放空间。

“我们看到ViPR技术在先进的300mm晶圆厂中认可度的不断提升,是源自该项技术的独有的性能和优点,”FSI董事长兼首席执行官说道。“随着200mmViPR技术被一家重要亚洲客户的成功应用, ViPR工艺为客户提供了升级技术的能力以及进一步大幅提高200mm投资收益,我们为此感到高兴。”

2008年11月,该客户在FSI国际知识服务系列研讨会(KSS)亚洲站上,展示了一项引人注目的200mm ViPR性能测试结果——先进逻辑器件的无灰化全湿法光刻胶。他们应用ViPR技术的策略旨在避免灰化过程中的等离子损害,并增加工厂的产能。该客户表示,ZETA系统ViPR的去除工艺满足了其对剥离工艺和器件电气性能的要求,同时对不同类型的器件可缩短生产周期最高达10%,可极大地节约成本。

此外,该客户目前凭借200mm ViPR技术去除在金属硅化物" title="硅化物">硅化物形成过程中产生的金属薄膜。ZETA ViPR 300mm工艺已证明可有效去除未反应的金属,同时不损坏硅化物。在硅化钴工艺中的残留金属薄膜去除方面验证成功,在最先进的NiPt自对准金属硅化物工艺方面,成功地整合低退火温度来减少结点漏电,从而提高了工艺的良品率。

关于FSI

FSI国际有限公司是一家为微电子制造提供表面处理设备技术及支持服务的全球性的供应商。通过使用公司产品组合中的多晶圆批量和单晶圆的浸泡式、旋转喷雾式、汽相和超凝态过冷动力学等一整套清洗技术产品,客户能够实现他们的工艺性能、灵活性和生产能力目标。公司推出的支持服务项目包括了产品及工艺的提升,从而延长已安装的FSI设备的使用寿命,使世界范围内的客户的资本投资获得更高的回报。

FSI国际有限公司全球网站:http://www.fsi-intl.com.

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