NY8B062E是以EPROM作为记忆体的 8 位元微控制器，专为家电或量测等等的I/O应用设计。采用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能、及高性价比等显著优势。 NY8B062E 核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编辑和控制，共有 55 条指令。除了少数指令需要 2 个时序，大多数指令都是 1 个时序即能完成，可以让使用者轻松地以程式控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。

NY8B062E_v0.1_20210113.pdf

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九齐NY8B062E功能一览：
1、宽广的工作电压：
2.0V ~ 5.5V @系统频率 ≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系统频率 > 8MHz。
2、 宽广的工作温度：-40°C ~ 85°C。
3、 2Kx14 bits EPROM。
4、128 bytes SRAM。
5、14 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PA[7:0]、PB[5:0]。
6、 PA[5, 3:0] 及 PB[3:0] 可选择输入时使用内建下拉电阻。
7、 PA[7:0] 及 PB[5:0] 可选择输入时使用上拉电阻。
8、 PB[5:0] 可选择开漏极输出(Open-Drain)。
8、 PA[5] 可选择当作输入或开漏极输出(Open-Drain)。
9、所有I/O脚输出可选择一般灌电流(Normal Sink Current)或大灌电流(Large Sink Current)，除PA5 外。
10、8 层程式堆栈(Stack)。