在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：V_DS和I_D曲线随时间变化的图像。

图1：开关损耗

让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图1中的t1），源极电压（V_GS）正接近MOSFET的阈值电压，V_TH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（C_ISS）开始充电，而漏极电流开始流经MOSFET，呈线性增加。对降压拓扑结构来讲，该电流是负载电流，而漏源电压（V_DS）是输入电压（V_IN）。阅读全文