EVDK DDR3 Demo调试笔记（关于VREF的问题）
昨天在调试Lattice EVDK开发板上的DDR3 Demo时，遇到一个莫名其妙的问题，今天来总结一下，并与大家分享。一、问题描述在Demo的顶层文件ddr3_test_top.v中有如下几句话： input test1;outpu...
发表于 2017/12/27 10:04:32
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DDR扫盲——关于Prefetch与Burst的深入讨论
首先，简单介绍一下Prefetch技术。所谓prefetch，就是预加载，这是DDR时代提出的技术。在SDR中，并没有这一技术，所以其每一个cell的存储容量等于DQ的宽度（芯片数据IO位宽）。【关于什么是cell（存储单元，可以去看一下，我之前的博文：http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051913 ）】 进入DDR时代之后，就有了prefetch技术，
发表于 2017/8/15 13:17:55
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DDR扫盲——single rank与dual-rank
一般来讲，一条内存总线的data宽度是64bits，也就是说总线上有64条道，每条道上一次传送1位数据。DIMM上的每个内存颗粒，提供4位、8位或者16位数据，来组成这64位数据(data word)。提供4位数据的芯片记作x4，提供8位数...
发表于 2017/8/11 14:38:46
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The DDR PHY Interface (DFI) 简单介绍
现代电子系统设计中，经常将DDR内存接口分成内存控制逻辑（MC，Memory Controller）和物理层接口（PHY，Physical Interface）两个部分。这两个部分侧重点不同，往往需要不同的设计技巧和设计经验。随着IP（in...
发表于 2017/8/9 14:31:44
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DDR3中的ODT动态模式详解
首先举一个例子： 早期的DDR（注：DDR2开始支持ODT功能），当向内存写入数据时，如果只有一条内存，那么这条内存就自己进行信号的终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条内存，那么他们会交错的进行信号的 终结。第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作，但等效电阻为75Ω。当有三条内存的时候，三条会交替进 行信号终结，但等效电阻为50Ω。对于省略终端电阻
发表于 2017/8/9 11:14:14
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DDR3中的ODT同步模式详解
昨天简单介绍了一下DDR3的ODT的作用，今天来详细聊一聊ODT的几种操作模式，首先是ODT的同步操作模式，这也时使用最多，最常用的模式。http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051969
发表于 2017/8/9 10:14:43
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【转】DDR3中的Write_leveling
1）为了更好的提高信号完整性，DDR3存储模块采用了fly-by的拓扑结构。该拓扑应用于地址、控制、时钟线。Fly-by拓扑能有效减少stub的长度，但是较长的走线带来了CK-CK#与DQS-DQS#间的时延（由于CK-CK#的飞行时间，其...
发表于 2017/8/8 15:48:21
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聊一聊DDR3中的ODT
ODT（On-Die Termination），是从DDR2 SDRAM时代开始新增的功能。其允许用户通过读写MR1寄存器，来控制DDR3 SDRAM中内部的终端电阻的连接或者断开。在DDR3 SDRAM中，ODT功能主要应用于： ·DQ, DQS, DQS# and DM for x4 configuration ·DQ, DQS, DQS#, DM, TDQS and TDQS# for X
发表于 2017/8/8 15:15:56
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DDR3 SDRAM Package Pinout Description
DDR3 SDRAM Package Pinout Description
发表于 2017/8/8 10:05:57
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UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的区别
DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM
发表于 2017/8/4 11:30:07
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【转】DDR3 Fly-by Routing of clk, command and ctrl
随着数字存储设备数据传输速率越来越快，拓扑结构对于信号质量的影响越来越大，对于DDR3数据传输速率已经达到1600Mbps以上，设计采用fly-by拓扑结构，但是在使用的过程中我们需要注意一些问题，否则会带来严重的信号完整性和时序问题，导致设计跑不到想要的高速率。
发表于 2017/8/3 11:15:40
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DDR扫盲——DDR3基础知识
Burst Length为固定的BC4和BL8，它们在“on the fly”能够和读命令或者写命令通过A12/BC引脚进行选择。
发表于 2017/8/1 13:53:55
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DDR扫盲——DDR与DDR2、DDR3的区别
DDR2与DDR的区别 1、速率与预取量 DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预取能力。 2、封装与电压 DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；DDR的标准电压为2.5V，DDR2...
发表于 2017/8/1 13:37:57
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DDR扫盲——DDR的特性分析
存储原理存储原理示意图：行选与列选信号将使存储电容与外界间的传输电路导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）。另外，图中刷新放大器的设计并不固定，目前这一功能被并入读出放大器（Sense Amplifier ,简称S-AMP）；
发表于 2017/8/1 12:37:38
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DDR扫盲——DDR中的名词解析
RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲；CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟；CL： CAS ...
发表于 2017/8/1 12:25:37
阅读（37765）
