上篇内容提到了在低功耗应用中需要考量的三个技术指标，在上篇中说了说低功耗模式的唤醒源问题，那本篇内容则重点对另外两个技术指标即低功耗电流和唤醒时间进行了简单的测试，验证是否与官方数据手册中的数据一致，毕竟还是自己测出来心理才踏实嘛，俺还是喜欢真相掌握在自己手里的赶脚啊，哈哈。

废话不多说了（今晚忙的忒晚了点），先上硬货，如上图贴出了我对KL系列10种功耗模式的测试结果，数据还是相当令人满意的，基本上与手册一致，最低300nA的电流和最快2.4uS的唤醒时间（当然这两个结果不可能同时达到，毕竟休眠越深唤醒时间越长，这个是不可否认的客观事实），当然官方数据有他们自己的一套测试流程和测试限制条件等等，我这里也把我自己测试出来上述结果的条件列出来供大家参考一下下，呵呵：

硬件测试平台：FRDM-KL46Z开发板（将外部8M时钟改成了32.768KHz，RTC功能需要）

软件代码：KL46官方代码包中low_power_demo例程（将时钟输入由原来的8M改成了现在的32.768kHz），代码我已上传到博客最后的附件可供下载参考

（1）测试环境，芯片3.3v供电，室温25度；

（2）VLPR（very low power run）模式下，时钟频率为，CPU Core Clock=4MHz, Bus Clock\Flash Clock=1MHz，时钟模式为BLPI模式；

（3）除了VLPR模式外，其他功耗模式下，时钟频率为，CPU Core Clock=48MHz, Bus Clock\Flash Clock=24MHz，时钟模式为采用外部32.768kHz无源晶振的FEE模式；

（4）我测试发现，要想获得快速的唤醒时间建议使用KL内部的FLL锁频环，如果使用PLL锁相环的话唤醒时间比较长。

总之，经过测试之后，我最大的收获是觉着官方数据手册中的数据参数还是蛮靠谱的，哈哈。另外，可能有的博友看完我上面的数据后会想到让我推荐一种低功耗模式，我的建议是LLS功耗模式。原因是LLS模式在功耗电流和唤醒时间上折衷的话还是比较合适的，我上面也提到了休眠程度越深功耗越低，但是唤醒时间越长，个人觉着LLS应付大多数低功耗应用来说绰绰有余（不夸张的说，拿去跟430比，这个低功耗数据也不会输，更何况KL是ARM M0+核，性能上自然秒杀430了），而且这种模式下很多外设仍然可以用，内部RAM数据也不会丢失，so…

好了，不说了，太晚了。哎，发现出趟差真不容易，大晚上的还得加班，呵呵，睡了，再聊，未完待续~

附件为KL46低功耗测试代码（外部晶振32.768Hz）:
kinetis_kl46_sc_LowPower.zip