Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标
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D系列MOSFET采用高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平
宾夕法尼亚、MALVERN— 2012 年5 月3 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。
今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术，使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接，使栅极电荷比前一代方案低50%，同时提高了开关速度，降低了导通电阻和输入电容。
400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗，能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、开云棋牌官网在线客服设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。
D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC，具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积，该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。
新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管，易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的无卤素规定，雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。
器件规格表：
型号 |
电压(V) |
ID@ 25 ºC (A) |
RDS(ON)@ max 10 V (Ω) |
Qg典型值(nC) |
封装 |
SiHP6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220 |
SiHF6N40D |
400 |
6 |
1.0 |
9 |
TO-220F |
SiHP10N40D |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220 |
SiHF10N40D |
400 |
10 |
0.55 |
15 |
TO-220F |
SiHG25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-247 |
SiHP25N40D |
400 |
25 |
0.17 |
44 |
TO-220 |
SiHU3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
IPAK/TO-251 |
SiHD3N50D |
500 |
3 |
3.0 |
6 |
DPAK/TO-252 |
SiHD5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
DPAK/TO-252 |
SiHP5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
TO-220 |
SiHF5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
T-Max® |
SiHU5N50D |
500 |
5 |
1.5 |
10 |
IPAK/TO-251 |
SiHP8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220 |
SiHF8N50D |
500 |
8 |
0.85 |
15 |
TO-220F |
SiHP14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-220 |
SiHG14N50D* |
500 |
14 |
0.40 |
30 |
TO-247AC |
SiHF18N50D* |
500 |
18 |
0.27 |
37 |
TO-220F |
SiHG460B/IRFP460B |
500 |
20 |
0.25 |
85 |
TO-247AC |
SiHG22N50D* |
500 |
22 |
0.23 |
52 |
TO-247AC |
SiHG32N50D* |
500 |
32 |
0.16 |
72 |
TO-247AC |
SiHS36N50D* |
500 |
36 |
0.13 |
92 |
Super TO-247 |
SiHP17N60D |
600 |
17 |
0.34 |
45 |
TO-220 |
SiHG17N60D |
600 |
17 |
0.34 |
45 |
TO-247AC |
*目标标准，产品即将面世
新的D系列MOSFET现可提供样品，将在2012年3季度实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十六周。
