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Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

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Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

D系列MOSFET采用高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平

宾夕法尼亚、MALVERN— 2012 年5 月3 日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。

今天发布的D系列MOSFET基于新的高压条带技术,使效率和功率密度达到新的水平。器件的条带设计加上更小的裸片尺寸和端接,使栅极电荷比前一代方案低50%,同时提高了开关速度,降低了导通电阻和输入电容。

400V、500V和600V器件的导通电阻分别为0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的导通电阻意味着极低的传导和开关损耗,能够在服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、荧光灯、高强度放电(HID)照明、开云棋牌官网在线客服设备和电磁加热的高功率、高性能开关电源应用中节约能源。

D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的栅极电荷分别为9nC、6nC和45nC,具有最佳的栅极电荷与导通电阻乘积,该值是用在功率转换应用中MOSFET的关键优值系数(FOM),400V、500V和600V器件的FOM分别为7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。

新的D系列MOSFET采用简单的栅极驱动电路、非常耐用的本体二极管,易于设计到更紧凑、更轻、发热更少的终端产品中。器件符合RoHS指令,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,雪崩(UIS)定级让器件能够稳定可靠地工作。

器件规格表:

型号

电压(V)

ID@ 25 ºC (A)

RDS(ON)@ max 10 V (Ω)

Qg典型值(nC)

封装

SiHP6N40D

400

6

1.0

9

TO-220

SiHF6N40D

400

6

1.0

9

TO-220F

SiHP10N40D

400

10

0.55

15

TO-220

SiHF10N40D

400

10

0.55

15

TO-220F

SiHG25N40D

400

25

0.17

44

TO-247

SiHP25N40D

400

25

0.17

44

TO-220

SiHU3N50D

500

3

3.0

6

IPAK/TO-251

SiHD3N50D

500

3

3.0

6

DPAK/TO-252

SiHD5N50D

500

5

1.5

10

DPAK/TO-252

SiHP5N50D

500

5

1.5

10

TO-220

SiHF5N50D

500

5

1.5

10

T-Max®

SiHU5N50D

500

5

1.5

10

IPAK/TO-251

SiHP8N50D

500

8

0.85

15

TO-220

SiHF8N50D

500

8

0.85

15

TO-220F

SiHP14N50D*

500

14

0.40

30

TO-220

SiHG14N50D*

500

14

0.40

30

TO-247AC

SiHF18N50D*

500

18

0.27

37

TO-220F

SiHG460B/IRFP460B

500

20

0.25

85

TO-247AC

SiHG22N50D*

500

22

0.23

52

TO-247AC

SiHG32N50D*

500

32

0.16

72

TO-247AC

SiHS36N50D*

500

36

0.13

92

Super TO-247

SiHP17N60D

600

17

0.34

45

TO-220

SiHG17N60D

600

17

0.34

45

TO-247AC

*目标标准,产品即将面世

新的D系列MOSFET现可提供样品,将在2012年3季度实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十六周。

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