在Xilinx 7系列FPGA使用之CLB探索中研究了CLB的结构，并主要讲述了SLICEM扩展移位寄存器的使用。另外SLICEM还可扩展成分布式RAM，此处就补上对分布式RAM使用的说明。

首先概括一下1个SLICEM可扩展的分布式RAM的所有形式：

• Single-Port 32 x 1-bit RAM

• Dual-Port 32 x 1-bit RAM

• Quad-Port 32 x 2-bit RAM

• Simple Dual-Port 32 x 6-bit RAM

• Single-Port 64 x 1-bit RAM

• Dual-Port 64 x 1-bit RAM

• Quad-Port 64 x 1-bit RAM

• Simple Dual-Port 64 x 3-bit RAM

• Single-Port 128 x 1-bit RAM

• Dual-Port 128 x 1-bit RAM

与移位寄存器扩展类似，分布式RAM也是以LUT作为其存储单元，如图1所示为SLICEM中的4个LUT，每个LUT都有如下几个端口：

地址输入：A6:A1 W6:W1

数据输入：DI1 DI2

时钟输入：CK

写使能 ：WEN

数据输出：O₆O₅

移位输出：MC31 （在此处不使用）

图1

仔细研究可发现，D LUT和A、B、C LUT有所区别，其地址输入都由D6:1驱动，而其它LUT的地址输入除了W6:1统一由D6:1驱动，A6:1分别由A6:1、B6:1、C6:1驱动，因此D LUT只能作为单端口RAM使用，而A、B、C LUT除了能作为单端口RAM使用之外，还能作为双端口RAM。如图2所示，以Simple Dual-Port 32 x 6-bit RAM为例，深度为32-bit，每个LUT都有6输入，将地址最高位置1，使两个输出O₆、O₅有效，剩下5根地址线可得到32-bit深度；数据宽度6-bit，由A、B、C LUT 的2*3个输出组成。

图2

与移位寄存器类似，XST综合器能自动将规范的代码综合成分布式RAM，如以下代码，实现了Simple Dual-Port 32 x 6-bit RAM的结构，综合出的结构如图3所示

module dbram_lab(

input clk,

input rst,

input wen,

input [4:0] raddr,

input [4:0] waddr,

input [5:0] din,

output [5:0] qout

);

reg [5:0] ram[0:31];

always@(posedge clk)

if(wen)

ram[waddr]<=din;

assign qout=ram[raddr];

endmodule

图3

图3中根据代码综合得到的结构基本与图2的理论图一致，其中编写代码时需要注意，由于LUT没有复位/置位端，因此描述RAM结构时不需要复位/置位信号。

Xilinx公司的这种分布式RAM结构在需要少量RAM的情况下可以代替Block RAM使用，毕竟在7系列FPGA中一块Block RAM就有36Kbits。以下列举了一些适用于分布式RAM的情况：

1. 深度小于64-bit

2. 在深度大于64-bit小于128-bit情况下，有时延要求并需要异步输出（其clock-to-out时间小，并且布线比Block RAM自由）

3. 数据宽度小于16-bit