TWR-K70F120M:MCU模块开发方案
0赞Freescale公司的Kinetis K70是具有浮点单元,图像LCD,IEEE. 1588以太网MAC,全速和高速USB 2.0 OTG,加密和篡改检测的低功耗32位MCU,采用ARM.Cortex-M4内核,支持DSP指令,集成了512kB或1MB闪存。主要用在汽车电子、导航、消费电子、家用电器、工厂自动化、建筑物控制、可编逻辑控制(PLC)、智能电网和电表、POS终端等。
Kinetis是具可扩展性的,低功耗,混合讯号ARM.Cortex-M4微控制器产品组合。其组合的第一部分包括五个MCU系列,包含200多个引脚兼容、外设兼容和软件兼容的器件。每个系列提供了优良的性能,内存与通用外设,存储器印象图,其封装提供了内部和系列之间移植和功能的可扩展性。
Kinetis MCU基于飞思卡尔公司创新的90nm薄膜存储器(TFS)闪存技术,具有独特的FlexMemory存储器。Kinetis MCU系列结合了新的低功耗改革和高性能,以及高精度混合信号的能力,具有广泛的人机界面连接性能,以及外设的安全性。飞思卡尔公司的许多ARM第三方生态系统合作伙伴,都具有领先的技术,对Kinetis MCU产品形成了强大的支撑。
K70 MCU系列包括:一个集成的图形LCD控制器,IEEE,1588以太网MAC,全方位和高速USB2.0及设备充电器检测功能,硬件加密和篡改检测。 K70为512 kB或1 MB的闪存,196引脚~256引脚MAPBGA封装。每个MCU包括一个丰富的模拟、通信、定时和控制外设套件。所有K70系列器件包括一个单精度浮点单元和NAND闪存控制器。 256引脚版本包括了片上DRAM控制器,用于系统的扩展。
所有Kinetis系列包括一个强大的阵列模拟,通信和定时,控制外围设备,功能集成的水平随着闪存的大小和输入/输出数量的增加而增加。
图1 K70方框图
Kinetis系列的共同特点
•内核:
- ARM Cortex-M4核发送1.25DMIPS/MHz的DSP指令(某些Kinetis系列具有浮点运算单元)
-最多32通道的DMA外设和内存,较少限度的CPU干预
-广泛的性能水平,额定最大CPU率为50 MHz,72MHz,100MHz,120MHz,150MHz
•超低功耗
图2 TWR-K70F120M外形图
图3 TWR-K70F120M方框图
-用以优化外设运行的10种低功耗运作模式和唤醒计时以延长电池寿命
-低漏电唤醒单元,低功耗定时器,低功耗RTC,以实现更低功耗的灵活性
-业界领先的快速唤醒时间
•内存
-可扩展的内存空间从32kB闪存/8 kB RAM,到1MB闪存/ 128kB RAM。独立的闪存块,可以同时执行代码与固件更新
-可选的16 KB的高速缓冲存储器,用于优化总线带宽和闪存执行性能。 提供K10,K20和K60系列器件,其CPU性能高达150MHz
-最高512 kB FlexNVM,和最高16 kB FlexRAM的FlexMemory存储器,FlexNVM可进行分割,以支持额外的闪存程序存储器(如引导程序),数据闪存(例如存储大型表),或支持EEPROM,FlexRAM支持EEPROM字节写入/字节擦除(byte-write/byte-erase)操作,并指定了最大EEPROM尺寸
- EEPROM的续航力超过1000万次循环
- EEPROM擦/写次数比传统的EEPROM快出一个等级
目标应用
•汽车
•导航
•消费电子
•家电
•工业
•可编程逻辑控制(PLC)
•电子点销售终端(EPOS)
•工业控制
•智能电网和智能电表
•建筑控制
•工厂自动化
TWR-K70F120M模块
TWR-K70F120M是Tower控制模块,与飞思卡尔Tower系统兼容。它可以作为一个独立的,低成本的平台,用于评估Kinetis的 K10,K20,K6x,K70系列微控制器(MCU)设备。 TWR-K70F120M的性能类似基于MAC Cortex™-M4架构的Kinetis K70低功耗微控制器,具有图形液晶显示控制器,篡改检测,USB 2.0 HS控制器,USB2.0全高速OTG控制器和10/100 Mbps以太网MAC。
TWR-K70F120M可以作为一个独立的产品,或作为Tower电梯模块(TWR- ELEV)和Tower串行模块(TWR-SER)套件(TWR-K70F120M-KIT)。 TWR-K70F120M也可以与其他飞思卡尔的Tower(Tower)外设模块相结合,来创建各种各样的开发平台。
图4 TWR-K70F120M电路图(1)
TWR-K70F120M模块包括:
• TWR-K70F120M板组装
• 3英尺的USB电缆
•交互式DVD,及软件安装和文件
•快速入门指南
模块主要特性:
• Tower兼容微控制器模块
• MK70FN1M0VMJ12:K70FN1M 为256 MAPBGA ,运 行频率为120 MHz
• Touch Tower Plug-in插座
•通用Tower Plug-in(TWRPI)插座
•板上JTAG调试电路(OSJTAG)与虚拟串口
• 1GB DDR2 SDRAM内存
• 2GB的SLC NAND闪存
•三轴加速度计(MMA8451Q)
•四个(4)用户可控的LED
•四个(4)电容式触摸垫
•两个(2)用户按钮交换机
•电位器
• 20mm锂离子电池的电池盒(如2032,2025)
• Micro-SD卡插槽