【原创】TI C2833x介绍---HRPWM（3）
上次提到了HRPW使用基于微边沿定位（microedgepositioner，MEP）的技术来提高输出的PWM分辨率。MEP技术将一个时钟周期分解为许多个更小的步长，叫“微步长”，它的典型值是150ps。在SYSCLKOUT=(60-150MHz)时，MEP的步长在150-310ps之间。MEP的详细特性在HRPWM的用户指南
发表于 10/6/2013 9:11:04 PM
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【原创】TI C2833x介绍---HRPWM（2）
在我的书里并没有用多少篇幅去介绍28335的高分辨率PWMHRPWM，在此整好也可以作为一个补充。书中没有过多讲HRPWM一方面是篇幅有限，另一个主要的方面是因为书主要面向的是电机控制相关的应用中，因为变频器中一般使用IGBT的缘故，其开关频率基本上都会限制在20kHz以内（
发表于 9/29/2013 4:49:48 PM
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【原创】TI C2833x介绍---HRPWM（1）
ePWM还有最后的一点没有提到，就是高分辨率PWM。前面我们也提到过，通常情况下，ePWM的分辨率是足够的。但是在载波频率很高，即ePWM计数的周期值很小的时候，分辨率就不能满足这个要求了。我们知道，PWM的精度或者分辨率为：ü分辨率（百分比）=PWM载波频率/fsyscl
发表于 9/22/2013 10:01:38 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（26）
为了计算ePWM事件触发子模块ET中各个触发事件的发生次数，我们使用EPwmxRegs.ETPS寄存器，即ET预定标寄存器进行标注。在2812和以前的片子里，因为使用事件管理器EV操作PWM，而不是使用ePWM，所以没有这样的功能。在这里可以留意一下它的功能。ETPS各个位的具体含义如下
发表于 9/12/2013 8:41:53 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（25）
ePWM的事件触发子模块（event-trigger）ET，是ePWM里面负责产生各种“事件”的核心部分。这些事件的触发源，或者叫“导火索”，都是由计数器和比较单元来一起产生的，为了简化说明，用下面一个图例来说明：这些触发源无非就是计数器下溢计数到0，计数值=周期值（
发表于 9/5/2013 8:18:29 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（24）
故障保护单元TZ除了控制寄存器TZCTL以外，还有其它5个。选择寄存器TZSEL的作用是用来选择故障信号的触发源，OSHT是one-shot的缩写，即单次触发，0为禁止该信号为故障事件触发源，1为使能；这个信号只能通过软件，即我们编程去清除，否则它会被锁存无法清除（实质就是一
发表于 8/29/2013 9:51:12 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（23）
以一个常见的有源前端AFE+逆变器（即带能量），各为三相六桥臂的结构为例，一共有12路PWM脉冲信号（绝大多数情况下使用的是6组互补的PWM信号）可以采用下面的故障保护结构：上面的结构，它既可以保护整流器部分的6个可控器件，也可以保护逆变部分的6个器件，具体
发表于 8/25/2013 6:05:21 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（22）
为了产生PWM脉冲，ePWM中在经过了计数单元、比较单元、动作限定单元、死区单元、斩波单元之后，还有一个‘总把门’的，就是故障保护单元。在2812器件的时候，一个事件管理器EV有一个故障保护输入引脚，用来接收外部发来的故障信号，并自动进入高优先级别的故障保护中断
发表于 8/15/2013 8:50:15 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（21）
ePWM的斩波模块作用与动作限定子模块AQ和死区子模块DB之后，如下图所示：它有一个主要的应用对象，就是开关电源方面，例如需要以上MHz的调制波来驱动全数字开关电源电路里面的高频变压器，它的思想与F2808那些专门做电源驱动的DSP或者叫DSC思想是一样的。当然ePWM
发表于 8/10/2013 3:51:47 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（20）
上次提到了一些EPwmxRegs.DBCTL各个位的含义，这次补上最后的两个位。1-0:输出模式的配置：00=禁止模式，即死区模块被旁路掉了（和把死区寄存器的值设为0一样的效果）01=ePWMxA管脚上的脉冲无变化（不延时），ePWMxB管脚上的脉冲在其下降沿被延时（死区时间）。10=ePWMx
发表于 7/27/2013 11:12:41 AM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（19）
ePWM的死区模块，除了两个寄存器用于存储上升沿延时和下降沿延时之外，就只有一个控制寄存器了；或者说，2833x的寄存器都有这样的显著特点，控制量、标志位等一般保存在控制寄存器中，，并且是各个位都可以单独读写的，并且在目前多半都是16位的（GPIO的大部分控制寄存
发表于 7/20/2013 8:41:13 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（18）
上次提到的死区插入方法有两种；一种是插入电阻和旁路二极管，方法比较简单，但是参数无法灵活调整，另外因为电路参数漂移而造成参数的不精确。另一种则是直接对PWM脉冲进行处理，例如把开通的脉冲缩短需要的死区时间，这个时间经常叫做死区、死时或者“dead-band”等。
发表于 7/12/2013 8:10:51 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（17）
上次提到在PWM变换器中需要插入死区时间，是因为器件关闭时存在拖尾效应，关闭的时间往往大于开通的时间，而PWM变换器又一般采用上下桥臂互补的状态，所以要用死区来避免直通造成的短路。插入死区的方法一般有两种，第一种是控制开关器件驱动电路中的门极电阻（或者改变
发表于 7/6/2013 1:09:43 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（16）
在PWM波形的产生中，需要对脉冲人为的加入死区时间。因为开关器件例如IGBT的开通和关断都不可能是立即完成的，而是因为寄生电容等原因，从关闭状态到开通状态需要一定的时间，从开通状态到关闭状态需要更长的时间（目前的技术是1微秒以上），即IGBT的拖尾效应。而逆变器
发表于 6/29/2013 1:40:52 PM
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【原创】TI C2833x介绍---ePWM（15）
举几个例子来说明ePWM调制中周期寄存器和比较寄存器值的计算。1.以对称载波的PWM波形为例。假设载波周期（PWM开关周期）为150kHz，占空比为25%，ePWM的时基频率为150MHz为例，并设定动作限定子模块中PWM的开关动作为软件强制高，则有：周期寄存器的值TBPRD=ePWM时
发表于 6/22/2013 11:37:05 AM
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